Description

Material: Acero

8A / 115V y 1

Fotocelda LDR para exteriores con empaquetado a prueba de agua

5 a 30V DC

Fuente de alimentación: 9 ~ 42V DC

IRF840 Transistor MOSFET LM337T Material: AceroTransistor de tecnologa MOS FET (MetalOxideSemiconductor Field Effect Transistor) de alta tensin y potencia, ampliamente utilizado en fuentes conmutadas y otras aplicaciones de la electrnica. Esta diseado para soportar un determinado nivel de energa en el modo de operacin avalancha, alta velocidad de conmutacin en el orden de los nanosegundo y alta impedancia de entrada. Lo podemos encontrar con encapsulado TO 220 y consta de 3 pines Drenador,

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